Pengaruh Doping Al Pada ZnO Menggunakan Metode LPD Terhadap Efisiensi Dye Sensitized Solar Cells (DSSC)

Abstract

Telah dilakukan pendopingan aluminium pada ZnO untuk meningkatkan efisiensi Dye Sensitized Solar Cells (DSSC). Sintesis lapisan ZnO dilakukan menggunakan metode Liquid Phase Deposition (LPD) pada suhu 80 ^oC selama 10 jam dengan variasi doping aluminium sebesar 0%; 1,0%; 1,5%; 2,0%; dan 2,5%. Sampel dikarakterisasi menggunakan XRD dan Spektroskopi UV-Vis sedangkan efisiensi DSSC diukur dengan menganalisis kurva I-V. Pola difraksi XRD lapisan ZnO tanpa dan dengan doping Al 1,5% memperlihatkan pola difraksi yang identik, yaitu terdapat puncak pada 2θ: 34^o dan 36^o yang menunjukkan karakteristik difraksi ZnO. Spektrum UV-Vis memperlihatkan absorpsi kuat pada panjang gelombang 280-380 nm yang berkaitan dengan energi gap 3,51; 3,50; 3,3; 3,11 dan 3,06 eV untuk doping 0%; 1,0%; 1,5%; 2,0% dan 2,5%, berturut-turut. Efisiensi DSSC sampel diukur menggunakan multimeter digital dan perangkat tambahan dengan intensitas cahaya 500-1500 Lux. Efisiensi tertinggi dihasilkan fotoanoda lapisan ZnO yang didoping aluminium 1,5%, yaitu sebesar 1,51% sedangkan terendah yaitu  fotoanoda tanpa doping yaitu 0,33%. Sehingga pemberian doping 1,5% mampu meningkatkan efisiensi sebesar 463% dibandingkan DSSC tanpa doping.

Doping of aluminium on ZnO has been done in order to increase the efficiency value of Dye Sensitized Solar Cells (DSSC). Synthesis of the ZnO layer used the Liquid Phase Deposition (LPD) method at 80 ^oC for 10 hours with aluminum doping variation of 0%; 1.0%; 1.5%; 2.0%; and 2.5%. Sample characterization was performed by XRD and UV-Vis Spectroscopy, while DSSC efficiency was measured by analyzing I-V characteristics. The XRD diffraction patterns for undoped and 1.5% Al-doped samples  display identical diffraction patterns, that there were peaks around 2θ: 34 and 36, which showed the characteristics of ZnO diffraction. The UV-Vis spectrum shows that strong absorption occurs in the wavelength range of 280-380 nm and the gap energy obtained is 3.51; 3.50; 3,3; 3.11 and 3.06 eV for 0%; 1.0%; 1.5%; 2.0% and 2.5%, respectively. The efficiency of DSSC samples was measured using a digital multimeter along enhancements with a light intensity of 500-1500 Lux. The highest efficiency is produced by 1.5% Al-doped ZnO of 1.51% while the lowest is undoped sample of 0.33%. The 1.5% Al-doped ZnO  can increase efficiency by 463% compared to undoped one.