Karakterisasi I-V Semikonduktor CuO Didoping TiO2 sebagai Sensor Gas Hidrogen

Sinta Maiyeni, Elvaswer Elvaswer

Abstract


Telah dilakukan karakterisasi sensor gas hidrogen berupa pelet dengan bahan utama CuO yang didoping dengan TiO2. Pelet sensor gas hidrogen dibuat dengan variasi doping TiO2 0%, 2%, 4%, 6%, 8% dan 10% terhadap bahan utama CuO. Sensor gas hidrogen dibuat dengan metode reaksi keadaan padat. Sensor gas hidrogen diuji pada temperatur ruang dengan melihat karakteristik I-V, sensitivitas, konduktivitas, waktu respon, dan kristalinitas. Karakteristik I-V menunjukkan bahwa sampel dengan doping TiO2 sebanyak 6% mol memiliki sensitivitas tertinggi yaitu 2,80 pada tegangan operasional 9 Volt. Nilai konduktivitas tertinggi dimiliki sampel CuO doping 6% mol TiO2 yaitu 19,65 x 10-5/Ωm pada lingkungan hidrogen. Waktu respon, konduktivitas dan ukuran kristal dari sampel yang memiliki sensitivitas tertinggi akan diukur. Waktu respon sampel CuO didoping 6% mol TiO2 adalah 42 s pada tegangan 9 Volt. Hasil XRD menunjukkan ukuran kristal CuO didoping 6% mol TiO2 yaitu 143,40 nm lebih besar dibandingkan dengan bahan CuO tanpa doping yaitu 128,21. Sensor gas hidrogen telah mampu membedakan kondisi di lingkungan hidrogen dengan kondisi di lingkungan udara, dengan sensitivitas yang tinggi dan waktu respon yang singkat. Sensor yang paling optimal digunakan adalah

CuO didoping 6% mol TiO2.

 

Kata kunci : sensor gas hidrogen, CuO, TiO2, sensitivitas, konduktivitas, waktu respon


Full Text:

PDF


DOI: https://doi.org/10.25077/jfu.6.3.263-269.2017

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Copyright (c)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License

Published by:

Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Andalas

Kampus Unand Limau Manis Padang Sumatera Barat 25163

Telepon 0751-73307

Email:jfu@sci.unand.ac.id